經(jing)常使用MOS管的人都(dou)會知道,MOS管其實(shi)就是金屬(shu)(metal)—氧化(hua)物(oxide)—半(ban)導(dao)(dao)體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬(shu)—絕緣體(insulator)—半(ban)導(dao)(dao)體。
MOS管的(de)source和drain是(shi)可(ke)以對調的(de),它們都是(shi)在(zai)P型(xing)backgate中(zhong)形成的(de)N型(xing)區(qu)。在(zai)多數情(qing)況(kuang)下,這個(ge)(ge)兩個(ge)(ge)區(qu)是(shi)一樣的(de),即使兩端對調也不會(hui)影響器(qi)件(jian)的(de)性能。這樣的(de)器(qi)件(jian)被認為(wei)是(shi)對稱的(de)。

目前(qian)在(zai)市場應(ying)用方面,排名第(di)一的(de)(de)是消(xiao)費類(lei)電子(zi)電源適(shi)(shi)配器產品(pin)(pin)。而根據(ju)飛虹MOS管(guan)廠家對(dui)MOS管(guan)的(de)(de)應(ying)用領域了解,知道MOS管(guan)排名第(di)二的(de)(de)是計(ji)算(suan)(suan)機(ji)主板、NB、計(ji)算(suan)(suan)機(ji)類(lei)適(shi)(shi)配器、LCD顯示(shi)器等(deng)產品(pin)(pin)。在(zai)隨著國情的(de)(de)發展,計(ji)算(suan)(suan)機(ji)主板、計(ji)算(suan)(suan)機(ji)類(lei)適(shi)(shi)配器、LCD顯示(shi)器對(dui)MOS管(guan)的(de)(de)需求有要超(chao)過消(xiao)費類(lei)電子(zi)電源適(shi)(shi)配器的(de)(de)現(xian)象了。
而目(mu)前排名第三的(de)就屬網(wang)絡通信、工(gong)業(ye)控制、汽車電子以及電力(li)設備領(ling)域了,這些(xie)產品對于MOS管(guan)的(de)需(xu)求(qiu)也是(shi)很大(da)的(de),特(te)別是(shi)現在汽車電子對于MOS管(guan)的(de)需(xu)求(qiu)直追(zhui)消(xiao)費類電子了。
從(cong)以上的分(fen)析來看,能(neng)知(zhi)道MOS管(guan)的需要在國內的需求(qiu)是不斷(duan)增大了(le),但使用MOS管(guan)的企業們真的知(zhi)道MOS管(guan)失(shi)效的原因嗎?下面飛虹(hong)MOS管廠家將以自(zi)身(shen)經驗來分析MOS失效(xiao)的六大原(yuan)因:
一(yi)、雪崩失(shi)(shi)效(xiao)(xiao)(電(dian)壓(ya)失(shi)(shi)效(xiao)(xiao)),也就(jiu)是我們常說的漏源間的BVdss電(dian)壓(ya)超(chao)過(guo)MOSFET的額定電(dian)壓(ya),并且(qie)超(chao)過(guo)達到了(le)一(yi)定的能力從而導(dao)致MOSFET失(shi)(shi)效(xiao)(xiao)。三、體(ti)二(er)(er)極管失(shi)效:在(zai)橋(qiao)式、LLC等有用到體(ti)二(er)(er)極管進行續流的(de)拓撲(pu)結構中,由于體(ti)二(er)(er)極管遭受破壞而導致的(de)失(shi)效。
四(si)、諧振失效(xiao):在并聯(lian)使用的過(guo)程中,柵極及電路寄生參數導致震(zhen)蕩引起的失效(xiao)。
五、靜(jing)(jing)電失(shi)效:在(zai)秋冬季(ji)節,由于人(ren)體及設備靜(jing)(jing)電而(er)導致的器件失(shi)效。 六、柵(zha)極(ji)電(dian)壓失效(xiao):由于柵(zha)極(ji)遭受(shou)異常電(dian)壓尖峰,而導致柵(zha)極(ji)柵(zha)氧層(ceng)失效(xiao)。
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