金屬氧化(hua)物(wu)半導體(ti)場(chang)效(xiao)應(ying)(MOS)晶體(ti)管可(ke)分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型(xing)(xing)硅(gui)襯底上(shang)有兩(liang)個P+區(qu)，分別叫做源極(ji)(ji)和(he)漏(lou)極(ji)(ji)，兩(liang)極(ji)(ji)之(zhi)間不(bu)通(tong)導，源極(ji)(ji)上(shang)加有足夠(gou)的正(zheng)電壓(柵(zha)(zha)極(ji)(ji)接地)時，柵(zha)(zha)極(ji)(ji)下的N型(xing)(xing)硅(gui)表(biao)面呈現P型(xing)(xing)反型(xing)(xing)層，成為連接源極(ji)(ji)和(he)漏(lou)極(ji)(ji)的溝(gou)道。改變(bian)柵(zha)(zha)壓可以改變(bian)溝(gou)道中的電子密度，從而(er)改變(bian)溝(gou)道的電阻。

這(zhe)種MOS場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)稱(cheng)為P溝道增強(qiang)型場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)。如(ru)果N型硅襯底(di)表面不加(jia)柵壓(ya)就已存在P型反型層溝道，加(jia)上適當(dang)的(de)偏壓(ya)，可使(shi)溝道的(de)電阻增大或減小。這(zhe)樣的(de)MOS場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)稱(cheng)為P溝道耗盡型場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)，統稱(cheng)為PMOS晶(jing)體(ti)管(guan)。 

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。

PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。 

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