改變(bian)柵(zha)壓可以改變(bian)溝(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)中的電(dian)子(zi)密(mi)度(du)，從而改變(bian)溝(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)的電(dian)阻(zu)。這種(zhong)MOS場效應晶(jing)體(ti)管稱(cheng)為(wei)(wei)P溝(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)增(zeng)強型(xing)場效應晶(jing)體(ti)管。如果N型(xing)硅襯(chen)底表面(mian)不(bu)加柵(zha)壓就已存在(zai)P型(xing)反型(xing)層(ceng)溝(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)，加上適當的偏壓，可使溝(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)的電(dian)阻(zu)增(zeng)大或減(jian)小。這樣的MOS場效應晶(jing)體(ti)管稱(cheng)為(wei)(wei)P溝(gou)(gou)(gou)道(dao)(dao)耗盡型(xing)場效應晶(jing)體(ti)管。統稱(cheng)為(wei)(wei)PMOS晶(jing)體(ti)管。

　　只(zhi)是(shi),因PMOS電路工藝(yi)簡單,價格便宜，有些中(zhong)規模和小規模數(shu)字控制(zhi)電路仍(reng)采用PMOS電路技術。