MOS管最顯(xian)著的特性(xing)是開(kai)關(guan)特性(xing)好，所(suo)以(yi)被廣泛應用在需要(yao)電(dian)(dian)子開(kai)關(guan)的電(dian)(dian)路中，常見的如開(kai)關(guan)電(dian)(dian)源和馬達驅動(dong)(dong)，也(ye)有照(zhao)明調光。現在的MOS驅動(dong)(dong)，有幾個特別(bie)的需求：

1.低(di)壓(ya)應用(yong)

當(dang)使用(yong)5V電源，這時候如果使用(yong)傳統(tong)的圖(tu)騰柱(zhu)結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加(jia)在(zai)gate上(shang)的電壓只(zhi)有4.3V。這時候，我(wo)們(men)選用(yong)標稱gate電壓4.5V的MOS管就(jiu)存在(zai)一定的風險。

同樣的問題也發(fa)生(sheng)在使用3V或者其他低壓(ya)電源(yuan)的場合。

2.寬電壓應用

輸入電壓并不是一(yi)個固定值(zhi)，它(ta)會隨著時間或者其他(ta)因素(su)而變(bian)動(dong)(dong)。這個變(bian)動(dong)(dong)導致(zhi)PWM電路提供(gong)給MOS管(guan)的驅動(dong)(dong)電壓是不穩定的。

為了讓MOS管(guan)(guan)(guan)在高gate電壓(ya)下安全(quan)，很多MOS管(guan)(guan)(guan)內置了穩壓(ya)管(guan)(guan)(guan)強(qiang)行限(xian)制gate電壓(ya)的(de)幅(fu)值。在這種情況下，當(dang)提供的(de)驅(qu)動(dong)電壓(ya)超過穩壓(ya)管(guan)(guan)(guan)的(de)電壓(ya)，就(jiu)會引起較大的(de)靜態功(gong)耗。

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。

3.雙電壓應用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。

MOS管(guan)的損失(shi)(shi)是電壓和電流的乘積，叫做(zuo)開(kai)關損失(shi)(shi)。通(tong)常(chang)開(kai)關損失(shi)(shi)比導通(tong)損失(shi)(shi)大得多，而且開(kai)關頻(pin)率越(yue)快，損失(shi)(shi)也越(yue)大。想要(yao)MOS管(guan)耐用，用對方(fang)法很重要(yao)，挑選合(he)適的電壓也是一門學問。

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