在進行(xing)電(dian)(dian)源(yuan)設(she)計時(shi)，效率與可靠性都(dou)是設(she)計者首先(xian)考慮的因(yin)素，在設(she)計逆變電(dian)(dian)源(yuan)時(shi)更是如此。逆變電(dian)(dian)源(yuan)可靠性的提升(sheng)對于新手們來說是一(yi)個較為頭疼的問題，雖然有資料(liao)可(ke)供參考，但(dan)其(qi)中值給(gei)出了部分方(fang)法，卻沒(mei)有給(gei)出一(yi)些技巧(qiao)或原理(li)上的(de)(de)講(jiang)解。MOS管不同的(de)(de)封(feng)裝形(xing)式對于原器件的(de)(de)參數(shu)設定與(yu)選型一(yi)樣會影響到產(chan)品的可(ke)靠性,需要謹慎對待(dai)。

電源逆變器MOS管常用型號是需要按照輸入或輸出電壓的不同來選擇不同BVDSS電壓的MOS管，隨小編來看下權威品牌MOS管廠家飛虹電子設計的電源逆變器方案。

該方案前端DC-DC的升壓采用推挽電路，MOS管開關晶體管Q1/Q2推薦輸入電壓：

到(dao)后端的AC-DC全橋逆變(bian)電(dian)路(lu)，根據亞洲、北(bei)美等不同國家市場對輸出電(dian)壓的使用要求不同，總結出電(dian)源(yuan)逆變(bian)器的后端輸出主(zhu)要典型電(dian)壓值為110V和220V。電(dian)源(yuan)逆(ni)變器(qi)設計的電(dian)路輸出(chu)波形主要為方波和正弦(xian)波。推薦Q3~Q6可參(can)照下表來選擇MOS。

這里給大家重點了解下40N20型號MOS管，MOS管40N20為N溝道低壓大電流功率MOS場效應管, 因其產品特點開關速度快，廣泛應用于電源逆變器。

Package：TO-220

BVdss（V）：200

PIN：GDS

Vgs（±V）：30

VTH（V）：2-4

ID（A）：40

RDS(on) = 90mΩ(max)@VGS=10V 

測試電路(lu)

ID電(dian)流(liu)是MOS芯片的(de)最(zui)(zui)大電(dian)流(liu)，實際使用(yong)時(shi)的(de)最(zui)(zui)大電(dian)流(liu)還要受封(feng)裝的(de)最(zui)(zui)大電(dian)流(liu)限(xian)制。設計產品時(shi)的(de)最(zui)(zui)大使用(yong)電(dian)流(liu)設定要考慮封(feng)裝的(de)最(zui)(zui)大電(dian)流(liu)限(xian)制。建議客戶設計產品(pin)時(shi)的最大使用電流設定更重要(yao)的是要(yao)考慮MOS的內阻(zu)參數。

以上(shang)就是(shi)飛虹(hong)電源(yuan)逆(ni)變器的全部內容，需要設計電源(yuan)逆(ni)變器不妨參考下其MOS管型號(hao)。廣州飛虹(hong)半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管、三極管等半導體器件，專注大功率MOS管制造15年。

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