在MOS管作為(wei)開關(guan)運用時，因為(wei)它的輸(shu)入特性，可能會引(yin)起“開關(guan)”動(dong)作滯后，這就不能凸(tu)顯出(chu)MOS管相(xiang)對于三極管(guan)的(de)優勢。而為(wei)了改善MOS管(guan)作(zuo)為(wei)開關的(de)效果(guo)，有(you)時候需要電(dian)路設計的(de)設計師使用灌(guan)流電(dian)路來(lai)幫助MOS管(guan)發揮最(zui)佳的(de)作(zuo)用。飛(fei)虹(hong)MOS管(guan)廠家今天就跟大家講(jiang)講(jiang)吧。

灌流電路

灌流(liu)電路(lu)主要是針對MOS管(guan)在(zai)作為開關(guan)(guan)管(guan)運用時其(qi)容性的輸入特性，引起“開”、“關(guan)(guan)”動作滯(zhi)后而設置的電路(lu)，當(dang)MOS管(guan)作為其(qi)他用途；例如線性放(fang)大(da)等應用，就沒有必要設置灌流(liu)電路(lu)。

MOS管和普通晶體三極管相比，有諸(zhu)多的(de)優點，但是(shi)在(zai)(zai)(zai)作(zuo)為(wei)大功(gong)率(lv)開(kai)關(guan)管應用時，由于MOS管具有的(de)容(rong)性(xing)輸入(ru)特(te)性(xing)，MOS管的(de)輸入(ru)端，等于是(shi)一(yi)個(ge)小電(dian)(dian)容(rong)器，輸入(ru)的(de)開(kai)關(guan)激勵信(xin)號(hao)，實際上是(shi)在(zai)(zai)(zai)對這(zhe)個(ge)電(dian)(dian)容(rong)進行反復的(de)充(chong)電(dian)(dian)、放(fang)(fang)電(dian)(dian)的(de)過程，在(zai)(zai)(zai)充(chong)放(fang)(fang)電(dian)(dian)的(de)過程中(zhong)，使(shi)MOS管道導通和關(guan)閉產生了滯后，使(shi)“開(kai)”與(yu)“關(guan)”的(de)過程變慢，這(zhe)是(shi)開(kai)關(guan)元件不能允許的(de)（功(gong)耗增加，燒壞開(kai)關(guan)管）。

壓波形變成B的畸變波形，導致開關管不能正常開關工作而損壞，解決的方法就是，只要R足夠的小，甚至沒有阻值，激勵信號能提供足夠的電流，就能使等效電容迅速的充電、放電，廣州MOS管廠家這樣MOS開關管就能迅速的“開”、“關”，保證了正常工作。由于激勵信號是有內阻的，信號的激勵電流也是有限度，在作為開關管的MOS管的輸入部分，增加一個減少內阻、增加激勵電流的“灌流電路”來解決此問題。

另一種灌流電路

灌流電路的(de)另外一種形式(shi)，對于某些功率較(jiao)小的(de)開關電源上(shang)采用的(de)MOS管往往采用了下(xia)圖A的(de)電路方式(shi)。

圖中 D為充電二極管，Q為放電三極管（PNP）。工作過程是這樣，當激勵方波正半周時，D導通，對MOS管輸入端等效電容充電（此時Q截止），在當激勵方波負半周時，D截止，Q導通，廣州MOS管(guan)廠家MOS管柵極S所充電荷，通過Q放電，MOS管完成“開”與“關”的動作，如上圖B所示。此電路由激勵信號直接“灌流”，激勵信號源要求內阻較低。該電路一般應用在功率較小的開關電源上。

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