想必電路設(she)計的(de)設(she)計師在(zai)選擇(ze)MOS管是(shi)都有(you)考慮(lv)過(guo)一個問題，是(shi)該(gai)選擇(ze)P溝(gou)MOS管還(huan)是(shi)N溝(gou)MOS管？作(zuo)為廠家(jia)(jia)而言，一定是(shi)想(xiang)要(yao)自己(ji)的(de)(de)(de)產品能夠以更低的(de)(de)(de)價(jia)格來競爭其他(ta)的(de)(de)(de)商家(jia)(jia)，也需要(yao)反復推(tui)選。那到底該(gai)怎么挑選呢？具有(you)30年經驗的(de)(de)(de)MOS管廠家(jia)(jia)這就為大家(jia)(jia)分享。

區別一：導(dao)通特性

N溝(gou)MOS的特性，Vgs大(da)于一(yi)(yi)定的值(zhi)(zhi)就會導通(tong)，適合用于源(yuan)極(ji)接地時的情況(kuang)（低端(duan)驅(qu)動(dong)(dong)），只(zhi)要柵極(ji)電壓達到(dao)4V或10V就可以了(le)。而PMOS的特性，Vgs小于一(yi)(yi)定的值(zhi)(zhi)就會導通(tong)，適合用于源(yuan)極(ji)接VCC時的情況(kuang)（高端(duan)驅(qu)動(dong)(dong)）。

區(qu)別二：MOS開關管損失(shi)

不管(guan)是N溝(gou)MOS還(huan)是P溝(gou)MOS，導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)(tong)(tong)后都有導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)(tong)(tong)電(dian)阻存在，這樣電(dian)流就(jiu)會(hui)在這個(ge)電(dian)阻上(shang)消耗能量，這部分消耗的(de)(de)(de)能量叫做導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)(tong)(tong)損(sun)耗。而選(xuan)擇導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)(tong)(tong)電(dian)阻小的(de)(de)(de)MOS管(guan)會(hui)減小導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)(tong)(tong)損(sun)耗，且(qie)現在的(de)(de)(de)小功率(lv)MOS管(guan)導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)(tong)(tong)電(dian)阻一(yi)般在幾十毫歐(ou)左右，也(ye)有幾毫歐(ou)。除此之外(wai)，MOS在導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)(tong)(tong)(tong)和截止的(de)(de)(de)時候(hou)，一(yi)定不是在瞬間(jian)完成的(de)(de)(de)，這是有一(yi)個(ge)下降(jiang)的(de)(de)(de)過(guo)程(cheng)，流過(guo)的(de)(de)(de)電(dian)流也(ye)有一(yi)個(ge)上(shang)升的(de)(de)(de)過(guo)程(cheng)。

在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越高，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積很大，低(di)壓(ya)MOS管(guan)廠家(jia)造成的損失也就很大，所以縮短開關時間，減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。

區別三：MOS管使用

P溝MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS管的跨導小于N溝MOS管。此外，P溝MOS管閾值電壓的絕對值偏高，要求有較高的工作電壓。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在N溝MOS管出現之后，低壓MOS管(guan)廠家多數已為NMOS管所取代。只是，因P溝MOS管工藝簡單，價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。

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