MOS管就是絕緣柵型(xing)場效應(ying)管。在使用過程中，很容(rong)易就會發現，MOS管不(bu)(bu)僅(jin)僅(jin)有P溝(gou)道與(yu)N溝(gou)道的(de)區別。另外還有增強(qiang)型(xing)與(yu)耗盡型(xing)的(de)區別，而他們在使用過程所表現的(de)狀態都完(wan)全不(bu)(bu)一(yi)樣。今天，具有35年半(ban)導體經驗的(de)MOS管廠家“飛虹(hong)”這就分享(xiang)給大家。

首先先區分一下增(zeng)強(qiang)型(xing)與耗盡(jin)型(xing)的區別(bie)。當(dang)UGS=0時，漏(lou)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)間沒有(you)導電(dian)溝道(dao)，UGS增(zeng)大到開啟電(dian)壓時，漏(lou)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)間才開始(shi)(shi)形成導電(dian)溝道(dao)，叫做增(zeng)強(qiang)型(xing)MOS管(guan)；當(dang)UGS=0時，漏(lou)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)間有(you)原始(shi)(shi)導電(dian)溝道(dao)，叫做耗盡(jin)型(xing)MOS管(guan)。

其實所謂的增強還是(shi)耗盡，主要是(shi)指MOS管(guan)內的反(fan)型(xing)層(ceng)。如果在(zai)不(bu)通電(dian)情況下，反(fan)型(xing)層(ceng)不(bu)存在(zai)，電(dian)壓加(jia)到一(yi)定程度后，反(fan)型(xing)層(ceng)才(cai)出現(xian)，這個就是(shi)增強。相(xiang)反(fan)，如果反(fan)型(xing)層(ceng)一(yi)開(kai)始就存在(zai)，隨著電(dian)壓強弱，反(fan)型(xing)層(ceng)會出現(xian)增加(jia)或者衰減，這個就是(shi)耗盡。

增強型MOS管科學的原理是它通過“加厚”導電溝道的厚度來導通，柵極電壓越低，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負離子就越遠離柵極，MOS管(guan)廠家柵極電壓達到一個值，叫閥值或坎壓時，由p型游離出來的正離子連在一起，形成通道。

因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導通，電壓越低，通道越厚，導通電阻越小。由于電場的強度與距離平方成正比，因此，電場強到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，MOS管(guan)廠家也是因為n型負離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個導通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導通。但這種管子一般不生產，在市面基本見不到。所以，大家平時說mos管，就默認是增強型的。

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