其實MOS管一個ESD敏感器(qi)件，它本身(shen)的(de)輸(shu)入(ru)電(dian)(dian)(dian)阻很高，而(er)(er)柵(zha)-源(yuan)極(ji)(ji)間(jian)電(dian)(dian)(dian)容又非常(chang)小(xiao)，所以(yi)極(ji)(ji)易受外界(jie)電(dian)(dian)(dian)磁場(chang)或靜(jing)電(dian)(dian)(dian)的(de)感應而(er)(er)帶電(dian)(dian)(dian)，又因在靜(jing)電(dian)(dian)(dian)較強的(de)場(chang)合難于泄放電(dian)(dian)(dian)荷(he)，容易引(yin)起靜(jing)電(dian)(dian)(dian)擊穿。而(er)(er)靜(jing)電(dian)(dian)(dian)擊穿有兩種方式，電(dian)(dian)(dian)壓型及(ji)功率型。飛虹MOS管廠家(jia)今天要分享的(de)電(dian)(dian)(dian)壓型靜(jing)電(dian)(dian)(dian)擊穿的(de)特(te)點。

電壓型擊穿(chuan)，即MOS管柵極的(de)薄氧化層發生擊穿(chuan)，形(xing)成針孔，使(shi)柵極和(he)源極間(jian)短路(lu)，或者使(shi)柵極和(he)漏極間(jian)短路(lu)，它的(de)特點(dian)是：

（1）穿通擊穿的(de)擊穿點軟，擊穿過程中(zhong)，電(dian)流(liu)有(you)逐步(bu)增大(da)的(de)特征，這是因為耗盡層擴展較(jiao)寬(kuan)，產(chan)生電(dian)流(liu)較(jiao)大(da)。另一方面，耗盡層展寬(kuan)大(da)容易(yi)發(fa)生DIBL效(xiao)應(ying)，使源襯底(di)結正偏(pian)出(chu)現電(dian)流(liu)逐步(bu)增大(da)的(de)特征。

（2）穿通擊穿的軟擊穿點發生在源漏的耗盡層相接時，此時源端的載流子注入到耗盡層中，被耗盡層中的電場加速達到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，廣州(zhou)MOS管廠家這時的電流相當于源襯底PN結正向導通時的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。

（3）穿(chuan)通擊(ji)穿(chuan)一般不(bu)會(hui)(hui)出現破(po)壞性(xing)擊(ji)穿(chuan)。因為穿(chuan)通擊(ji)穿(chuan)場(chang)強(qiang)沒(mei)有達(da)到雪崩擊(ji)穿(chuan)的(de)場(chang)強(qiang)，不(bu)會(hui)(hui)產生大量電子空穴對(dui)。

（4）穿通(tong)擊穿一般發生在溝(gou)道(dao)(dao)體(ti)內，溝(gou)道(dao)(dao)表面不容易(yi)發生穿通(tong)，這主(zhu)要是由于溝(gou)道(dao)(dao)注(zhu)入使表面濃度(du)比濃度(du)大造成，所以，對NMOS管一般都有防(fang)穿通(tong)注(zhu)入。

（5）一(yi)(yi)般的(de)，鳥嘴邊緣的(de)濃度(du)比溝(gou)道中間濃度(du)大，所以穿通擊穿一(yi)(yi)般發生在溝(gou)道中間。

（6）多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，廣(guang)州MOS管(guan)廠家(jia)隨著柵長度增加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴格來說也有影響，但是沒有那么顯著。

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