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Class-D功放電路應用FHP35N20W型號代換IRFB31N20D型號參數場效應管！
Class-D功放電路應用FHP35N20W型號代換IRFB31N20D型號參數場效應管！
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類型：行業資訊
日(ri)期：2022-09-01 16:14:50
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對于(yu)Class-D功放電路的電子元器件使用，在(zai)MOS管領(ling)域(yu)會有哪一款產品比較適(shi)合應用于(yu)該場(chang)景呢？是(shi)否有比較好(hao)的代換型號？
對(dui)于場效應管的(de)(de)(de)(de)代換使用，電子工程師還是需要注意產(chan)品的(de)(de)(de)(de)特點來進(jin)行(xing)考慮的(de)(de)(de)(de)，比如應用于功(gong)放產(chan)品的(de)(de)(de)(de)話，我們(men)一(yi)般建議選擇針對(dui)功(gong)放系統的(de)(de)(de)(de)高效率(lv)、低失真度和EMI等特性表現好的(de)(de)(de)(de)MOS管。
現在市場中IRFB31N20D場效應管是有常用于Class-D功(gong)放(fang)電路的(de)，究竟(jing)要(yao)如何選擇比(bi)較(jiao)好的(de)國產廠商進行替代呢？
具備上述(shu)所說的優(you)點(dian)的國(guo)產MOS管(guan)，還能替代IRFB31N20D場效應管(guan)的，我們(men)一(yi)般(ban)優(you)先推(tui)薦Class-D功放電路廠家使用FHP35N20W型號。
究竟為何推薦這(zhe)一款(kuan)35A、200V電流、電壓MOS管的FHP35N20W國產MOS管替代IRFB31N20D場效(xiao)應管在Class-D功放電路使用(yong)呢？
除上述符合的特點外，這一款優質FHP35N20W國產場效應管還具備的產品參數有：35A、200V的電流、電壓，RDS(on) = 69mΩ(typ) @VGS = 10 V；RDS(on) = 80mΩ(MAX) @VGS = 10 V，FHP35N20W型(xing)號(hao)代換(huan)IRFB31N20D型(xing)號(hao)參(can)數場(chang)效應管最高柵源電壓@VGS =±30 V。
在測(ce)試(shi)(shi)中具有低柵極電(dian)荷、低Crss (典型值34pF)、開關(guan)速度快、100%經(jing)過Rg 測(ce)試(shi)(shi)、100%經(jing)過雪(xue)崩測(ce)試(shi)(shi)、100%經(jing)過熱阻測(ce)試(shi)(shi)等優點(dian)。
FHP35N20W ，N溝道(dao)增強型(xing)(xing)場效應晶體管，采用平面工藝VDMOS,擁(yong)有優(you)(you)異的(de)抗沖擊特性前提下優(you)(you)化Rdson、Qg、trr等參數，從而廣泛適配使用在Class-D功(gong)放(fang)電路上(shang)，如汽車功(gong)放(fang)、DSP功(gong)放(fang)上(shang)。對標其它(ta)場效應管品牌型(xing)(xing)號：IRFB31N20D。
FHP35N20W的封裝形式(shi)分別是TO-220封裝形式(shi)。這款(kuan)產品(pin)參數：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：35A；BVdss（V）：200V。
綜合以上的產品參數，FHP35N20W型(xing)號代換IRFB31N20D型(xing)號參數場(chang)效應(ying)管功放的場效應管代換建議用飛虹國產型號：FHP35N20W型號參數來替代IRFB31N20D型號。
200V、35A 的MOS管代換使用，選對型號很重要。飛虹半導體的MOS管已經廣泛應用于功放行業、智能家居、新能源電子、電動車、汽車電子、LED照明、家電、鋰電保護、驅動電機等領域，為國內的電子產品廠家提供了優質的產品以及配套服務。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品。直接百度輸入“飛虹電子”即可找到我們，免費試樣熱線：400-831-6077。
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